Datasheet下载- 型号： MT41K512M16TNA-125 IT:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M16TNA-125 IT:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M16TNA-125 IT:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41K512M16TNA-125 IT:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT41K512M16TNA-125 IT:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M16TNA-125 IT:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号 MT41K512M16TNA-125 IT:E TR 是一款高性能的 DDR4 内存颗粒，广泛应用于计算机、服务器、网络设备和其他需要高速数据处理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 服务器和数据中心 - 该型号内存颗粒适用于企业级服务器和数据中心，支持高带宽和低延迟的数据传输，满足云计算、大数据分析和人工智能等高负载任务的需求。 - 其稳定性与可靠性能够确保关键业务系统的持续运行。 2. 高性能计算 (HPC) - 在科学计算、工程模拟和天气预测等领域，这款存储器可以提供强大的数据处理能力，支持复杂的数学运算和大规模数据集的高效管理。 3. 网络设备 - 路由器、交换机和其他网络基础设施设备中使用此型号内存，以实现快速的数据包处理和转发，提升网络性能。 4. 工作站和高端个人电脑 - 高端图形设计、视频编辑和游戏开发等工作站需要大容量、高速度的内存，这款产品可以满足这些需求，提供流畅的操作体验。 5. 嵌入式系统 - 在工业自动化、医疗设备和通信设备等嵌入式系统中，这款存储器以其高可靠性和低功耗特性被广泛应用。 技术特点： - DDR4 标准：支持更高的数据传输速率（高达 3200 MT/s）。 - 低功耗：采用 1.2V 电压设计，降低能耗。 - 高密度：单颗芯片容量大，适合构建大容量内存模块。 - 温度范围：适应工业级工作环境，具有良好的耐温性能。 总结来说，MT41K512M16TNA-125 IT:E TR 主要用于需要高性能、高稳定性和低功耗的场景，是现代电子设备中不可或缺的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ TFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M16TNA-125 IT:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA（10x14） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 8G（512M x 16） |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |
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